ترانزیستور IRFBC30

شناسه : TRAMiR-420 دسته بندی برچسب‌ها , ,
N-CHANNEL 600V,3.6A

69,000 تومان

موجود (می توان پیش خرید کرد)

ویژگی های محصول

توضیحات تکمیلی

وزن0.002000 گرم
نوع(MOSFET)
جریان6.2 آمپر
ولتاژ600 ولت
پلاریتهN-channel

توضیحات محصول

ترانزیستور IRFBC30

 

یک MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) نوع N-channel است که برای کاربردهای مختلف در الکترونیک و توان طراحی شده است. این ترانزیستور به دلیل ویژگی‌های ولتاژ و جریان مناسب، در مدارهای سوئیچینگ، تقویت‌کننده‌ها، و کنترل توان استفاده می‌شود.

مشخصات کلیدی:

  1. نوع: N-channel MOSFET
  2. ولتاژ سورس-درین (Vds): 600 ولت
  3. جریان درین (Id): 3 آمپر
  4. مقاومت روشن (Rds(on)): 4 اهم
  5. توان پراکنده (Pd): 45 وات

ویژگی‌ها:

  • ولتاژ بالا: IRFBC30 می‌تواند ولتاژهای تا 600 ولت را تحمل کند.
  • جریان متوسط: مناسب برای کاربردهای با جریان متوسط تا 3 آمپر.
  • سرعت سوئیچینگ بالا: سرعت سوئیچینگ بالایی دارد که آن را برای کاربردهای سوئیچینگ مناسب می‌سازد.
  • مقاومت روشن پایین: Rds(on) مناسب به کاهش تلفات توان و افزایش کارایی کمک می‌کند.
  • پایداری حرارتی خوب: پایداری حرارتی بالا که عمر و عملکرد ترانزیستور را بهبود می‌بخشد.

کاربردها:

  1. منابع تغذیه سوئیچینگ: برای تبدیل ولتاژ و کنترل توان در منابع تغذیه سوئیچینگ استفاده می‌شود.
  2. اینورترها: در اینورترهای توان بالا برای تبدیل جریان مستقیم به جریان متناوب به کار می‌رود.
  3. کنترل موتورها: در سیستم‌های کنترل موتورهای الکتریکی و مدارهای H-Bridge استفاده می‌شود.
  4. مدارات تقویت‌کننده قدرت: برای تقویت سیگنال‌های توان بالا در تقویت‌کننده‌های قدرت و سیستم‌های صوتی به کار می‌رود.
  5. مدارات حفاظت و سوئیچینگ قدرت: در مدارهای حفاظت از تجهیزات الکترونیکی و سوئیچ کردن بارهای قدرت استفاده می‌شود.

ساختار داخلی و پکیج:

  • سه پایه: شامل درین (D)، سورس (S) و گیت (G).
  • پکیج استاندارد: معمولاً در پکیج TO-220 عرضه می‌شود که برای دفع حرارت و نصب آسان مناسب است.

نحوه استفاده:

  1. محدود کردن جریان گیت: برای جلوگیری از آسیب به ترانزیستور به دلیل جریان بیش از حد، از مقاومت گیت مناسب استفاده کنید.
  2. مدار درایور گیت: استفاده از یک درایور گیت مناسب برای فراهم کردن ولتاژ و جریان کافی جهت سوئیچینگ موثر.
  3. محدود کردن ولتاژ و جریان: اطمینان حاصل کنید که ولتاژ و جریان مدار از مقادیر مجاز ترانزیستور تجاوز نکند.
  4. استفاده از هیت سینک: برای دفع حرارت اضافی و جلوگیری از افزایش دما، از هیت سینک مناسب استفاده کنید.

مثال مدار ساده:

در یک منبع تغذیه سوئیچینگ، گیت ترانزیستور IRFBC30 به یک مدار درایور متصل می‌شود که سیگنال سوئیچینگ را فراهم می‌کند. درین به منبع ولتاژ DC و سورس به بار یا زمین متصل می‌شود. سیگنال درایور باعث روشن و خاموش شدن ترانزیستور می‌شود و توان را به بار منتقل می‌کند.

خلاصه:

ترانزیستور IRFBC30 یک MOSFET N-channel با ویژگی‌های ولتاژ و جریان متوسط است که برای کاربردهای سوئیچینگ و کنترل در مدارهای الکترونیکی و توان متوسط مناسب است. پکیج TO-220 آن برای نصب در مدارهای چاپی و دفع حرارت مناسب بوده و باعث افزایش کارایی و پایداری دستگاه‌های الکترونیکی می‌شود.

محصولات مرتبط