طراحان الکترونیک انتخاب های زیادی جهت استفاده از قطعات حساس به نور دارند. در حالی که دیودهای نوری بسیاری از نیازها را رفع می کنند، ولی فتو-ترانزیستورها هم برای برخی از کاربردها بسیار مناسب هستند. این قطعات دارای بهره ی بالایی بوده و قیمت انواع استاندارد آن پائین است. این فتو-ترانزیستورها می توانند در بسیاری از کاربردها استفاده شوند.
سالها ایده ی فتو-ترانزیستور مورد بررسی قرار گرفت. اولین بار ویلیام شاکلی در سال 1951 این ایده را پیشنهاد داد. کمی بعد ترانزیستورهای عادی کشف شدند. این تنها دو سال قبل از آن بود که فتو-ترانزیستورها معرفی شوند. از آنجایی که فتو-ترانزیستورها در کاربردهای مختلفی استفاده می شوند، توسعه ی آن ها تا کنون ادامه یافته است.
ساختار فتو-ترانزیستور
اگرچه ترانزیستورهای عادی هم هنگامی که در معرض نور قرار گیرند، اثراتی ناشی از حساسیت به نور از خود نشان می دهند؛ ولی ساختار فتو-ترانزیستورها به طور خاص برای کاربردهای نوری بهینه شده اند. فتو-ترانزیستورها بیس بزرگتری دارند و ناحیه ی کلکتور شبیه به ترانزیستورهای عادی است. به طور کلی اسن قطعات با استفاده از انتشار و القای یون ساخته شده اند.
ساختار فتو-ترانزیستور دو وجهی با پیوند متجانس (homo-junction)
فتو-ترانزیستورهای اولیه از سیلیکون یا ژرمانیوم استفاده می کردند که باعث ایجاد یک ساختار با پیوند متجانس (homo-junction) می شد. فتو-ترانزیستورهای بعدی از مواد نوع (III-V) مانند آرسنید گالیوم و مانند آن استفاده می کردند. ساختارهای چند لایه ای که از مواد مختلفی در هر دو سمت پیوند P-N استفاده می کردند هم متدوال هستند زیرا راندمان تبدیل بالایی دارند. آن ها عموما با استفاده از رشد و نمو هم بافته ی مواد ساخته می شوند که دارای ساختار شبکه ای متقارن هستند. این فتو-ترانزیستورها همچنین دارای ساختار تپه ای هستند. گاهی مواقع یک پیوند شاتکی (فلز-نیمه هادی) می تواند برای کلکتور در ترانزیستور استفاده شود، گرچه این روش این روزها کمتر متداول است زیرا سایر ساختارها دارای عملکرد بهتری هستند.
فتو-ترانزیستور با ساختار تپه ای و پیوند متجانس
جهت اطمینان از تبدیل بهینه و در نتیجه حساسیت بهینه ی ترانزیستور، پایه ی امیتر اغلب نسبت به ساختار ترانزیستور کمی انحراف دارد. این باعث می شود بیشترین مقدار نور به ناحیه ی فعال داخل ترانزیستور برسد.
عملکرد فتو-ترانزیستور
فتو-ترانزیستور اغلب در ناحیه ی فعالش کار می کند، پایه ی بیس به صورت مدار باز یا قطع رها شده است زیرا نیازی به آن نیست. بیس فتو-ترانزیستور فقط برای بایاس ترانزیستور استفاده می شود به طوری که به عنوان یک عکس العمل نوری جریان اضافه ای را در کلکتور جاری می کند که هر جریانی که از قبل بوده را پوشش می دهد. شرایط بایاس برای عملکرد بسیار ساده است. ولتاژ کلکتور در یک ترانزیستور n-p-n نسبت به ولتاژ امیتر مثبت تر می شود و در ترانزیستورهای p-n-p باید منفی تر شود.
نور وارد ناحیه ی بیس می شود که موجب شده جفت های حفره-الکترون تولید شوند. این اتفاق اساسا در بایاس معکوس پیوند بیس-کلکتور اتفاق می افتد. جفت های حفره-الکترون تحت تاثیر میدان الکتریکی حرکت نموده و باعث ایجاد جریان در بیس می شوند و منجر به تزریق جریان در امیتر می گردد.
مشخصات فتو-ترانزیستور
همان گونه که گفته شد فتو-ترانزیستور دارای بهره ی بالایی است که در نتیجه ی عملکرد ترانزیستور است. برای ساختارهای متجانس (homo-structure) که در آن از ماده ی یکسانی درون قطعه استفاده می شود، میزان بهره از حدود 50 تا چند صد می باشد. برای قطعاتی با ساختار چند لایه بهره می تواند تا ده هزار هم بالا برود. با وجود این که ساختارهای چند لایه دارای بهره ی بالایی هستند ولی به طور وسیع استفاده نمی شوند زیرا هزینه ی ساخت این قطعات زیاد است. مزیت دیگر فتو-ترانزیستورها در مقایسه با فتو-دیودهای بهمنی که آن ها نیز دارای بهره می باشند، این است که فتو-ترانزیستورها دارای نویز بسیار کمتری هستند.
یکی از معایب اصلی فتو-ترانزیستورها این است که دارای پاسخ فرکانسی خوبی در فرکانس های بالا نیستند. این مسئله ناشی از ظرفیت خازنی بالا در پیوند بیس-کلکتور است. این پیوند نسبتا بزرگ طراحی شده تا بتواند به میزان کافی نور جذب کند. برای یک قطعه با ساختار متجانس (homo-structure) در حالت معمول پهنای باند می تواند در حدود 250 کیلوهرتز محدود باشد. در قطعات با ساختار چند لایه حد بالایی فرکانس بیشتر است و برخی از آن ها می توانند در فرکانس هایی حدود 1 گیگا هرتز نیز عمل کنند.
ویژگی های فتو-ترانزیستور در شدت نورهای مختلف بسیار شبیه به ویژگی های ترانزیستورهای دو قطبی معمولی است، با این تفاوت که به جای مقادیر مختلف جریان بیس در این حالت میزان های مختلفی از شدت نور مطرح می شود.
حتی زمانی که هیچ نوری به فتو-ترانزیستور نتابد باز هم میزان کمی جریان در آن وجود دارد که به آن جریان تاریکی گفته می شود و نشان دهنده ی این است که تعداد کمی از حامل ها به امیتر وارد شده اند.
نماد مداری فتو-ترانزیستور
نماد مداری فتو-ترانزیستور برای استفاده در دیاگرام های مداری الکترونیک بسیار سر راست است. این نماد از نماد اصلی ترانزیستور با فلش هایی که به سمت آن اشاره می کند تشکیل شده که این فلش ها بیانگر وجود حساسیت به نور می باشد.
نماد مداری فتو-ترانزیستور اغلب دارای دو فلش است که به سمت آن اشاره می کند، ولی نماد های مداری دیگری نیز وجود دارد که فلش آن ها به صورت دندانه دار است. هر دوی این نمادها برای فتو-ترانزیستور مورد استفاده و قابل قبول هستند.
نماد مداری فتو-ترانزیستور
نماد مداری دارای فلش های قراردادی است که جهت آن به سمت پایه ی امیتر است. در ترانزیستورهای PNP فلش ها به سمت داخل است و در ترانزیستورهای NPN جهت فلش به سمت بیرون می باشد.
همان طور که می بینید این نماد مداری فاقد پایه ی بیس است. اغلب پایه ی بیس از سمت چپ مدار باز است تا بتوان از نور برای ایجاد جریان درون ترانزیستور استفاده کرد. در بعضی موارد برای تنظیم نقطه کار دلخواه می توان پایه ی بیس را بایاس نمود، در چنین حالتی پایه ی بیس به صورت عادی در نماد مداری نشان داده می شود.
آرایش های مداری فتو-ترانزیستور
فتو-ترانزیستور می تواند در تنظیمات مداری مختلفی به کار رود. مانند بسیاری از ترانزیستورهای عادی، فتو-ترانزیستورها هم می توانند در مدارهای امیتر مشترک و کلکتور مشترک استفاده شوند. مدارهای بیس مشترک استفاده نمی شوند زیرا اتصال بیس اغلب به صورت شناور رها شده است.
انتخاب بین حالت های امیتر مشترک و کلکتور مشترک برای تنظیمات مدار فتو-ترانزیستور به نیازهای مدار بستگی دارد. این دو فرم مداری برای فتو-ترانزیستورها دارای کمی اختلاف در ویژگی های عملکردی هستند که می تواند تعیین کند در چه مداری باید از آن ها استفاده کنیم.
– مدار امیتر مشترک فتو-ترانزیستور
فرم مداری امیتر مشترک برای فتو-ترانزیستور مانند مدارهای ترانزیستور معمول، متداول ترین فرم مورد استفاده است. کلکتور از طریق یک مقاومت به منبع تغذیه اتصال می یابد و خروجی از پایه ی کلکتور فتو-ترانزیستور گرفته می شود. این مدار هنگام تشخیص نور یک سیگنال خروجی تولید می کند که از بیشترین سطح ولتاژ به کمترین سطح ولتاژ حرکت می کند.
در واقع این مدار به صورت یک تقویت کننده عمل می کند. جریان به وسیله ی نوری که بر ناحیه ی بیس تابیده شده تولید می شود. این جریان به صورت عادی توسط بهره ی جریان ترانزیستور تقویت می شود.
– مدار کلکتور مشترک فتو-ترانزیستور
فرم مداری کلکتور مشترک یا دنبال کننده ی امیتر، دارای توپولوژی یکسانی با مدار امیتر مشترک عادی است. امیتر از طریق یک مقاومت بار به زمین وصل می شود و خروجی از پایه ی امیتر گرفته می شود.
در این حالت هنگامی که نور تشخیص داده شود، مدار یک سیگنال خروجی تولید می کند که از سطح پائین به سطح بالا حرکت می کند.
مدار کلکتور مشترک فتو-ترانزیستور
عملکرد مدارهای فتو-ترانزیستوری
مدارهای فتو-ترانزیستوری می توانند در یک یا دو مد عملکرد اصلی مورد استفاده قرار گیرند، که مد خطی یا فعال و مد سوئیچ نامیده می شوند.
عملکرد در مد خطی یا فعال پاسخی را ایجاد می کند که به شدت متناسب با محرک نوری است. در حقیقت فتو-ترانزیستوها به طور خاص خروجی خطی نسبت به محرک ورودی نمی دهند، به همین دلیل صحیح تر آن است که این مد عملکردی مد فعال نام گذاری شود.
به دلیل پاسخ غیرخطی فتو-ترانزیستور به نور، عملکرد مدارهای فتو-ترانزیستوری در مد سوئیچ بیشتر مورد توجه است. هنگامی که هیچ نوری وجود ندارد یا میزان نور کم است، تقریبا هیچ جریانی در ترانزیستور وجود ندارد و می توان گفت فتو-ترانزیستور در حالت “خاموش” است. با افزایش میزان نور جریان نیز افزایش می یابد تا در نهایت به نقطه ای می رسد که فتو-ترانزیستور اشباع شده و جریان دیگر نمی تواند زیاد شود. در این حالت گفته می شود فتو-تانزیستور در حالت اشباع قرار دارد. بنابراین مد سوئیچ مانند سیستم های دیجیتال یا منطقی دارای دو حالت “روشن” و “خاموش” است. این مد عملکرد فتو-ترانزیستور جهت تشخیص اشیاء، ارسال اطلاعات و یا خواندن انکودرها مفید است.
از آنجایی که در اکثر مدارها از پایه ی بیس استفاده نمی شود (حتی اگر موجود باشد)، تنها راه برای تغییر مد عملکرد مدار تغییر مقدار مقاومت بار است. این کار با تخمین حداکثر جریانی که از نور برخوردی با فتو-ترانزیستور ایجاد می شود، قابل انجام است.
با این فرضیات، روابط زیر می توانند استفاده شوند :
در مد فعال : VCC > RL x Ic
در مد سوئیچ : VCC < RL x Ic
که در این روابط RL مقاومت بار (Re یا Rc در دیاگرام های مداری فوق)، IC حداکثر جریان پیش بینی شده و VCC ولتاژ منبع تغذیه است.
استفاده از پایه ی بیس در مدارهای فتو-ترانزیستور
در بعضی از فتو-ترانزیستورها پایه ی بیس موجود است. دسترسی به پایه ی بیس اجازه می دهد که در بعضی از کاربردها فتو-ترانزیستور در شرایط مناسب تری قرار گیرد.
مدار فتو-ترانزیستور با مقاومت بیس
مقادیر بالای مقاومت بیس از افزایش جریان مدار کلکتور-امیتر در اثر سطوح پائین شدت نور جلوگیری می کند و از این طریق می توان خروجی دیجیتال قابل اطمینان تری داشت.
فتو-دارلینگتون
فرم دیگری از فتو-ترانزیستورها که اغلب دیده می شوند و متعلق به گروه یکسانی هستند، فتو-تراننزیستورهای دارلینگتون یا فتو-دارلینگتون ها هستند.
ترانزیستورهای فتو-دارلینگتون دارای حساسیت بیشتری در مقایسه با سایر فتو-ترانزیستورها هستند، ولی این مسئله در مورد پاسخ زمانی و پاسخ فرکانسی است.
مبانی ترانزیستور دارلینگتون
ترانزیستورهای فتو-دارلینگتون از تنظیمات استاندارد ترانزیستورهای دارلینگتون استفاده می کنند. در این فرم مداری، بهره ی جریان زوج دارلینگتون حاصل ضرب بهره ی جریان هر کدام از ترانزیستورها است.
Current gaintotal = HFE1 x HFE2
مدار اصلی ترانزیستور دارلینگتون به این صورت است که پایه ی امیتر ترانزیستور ورودی به پایه ی بیس ترانزیستور دوم اتصال می یابد. این فرم اتصال از دو ترانزیستور می تواند به عنوان یک ترانزیستور مجزا با بهره ی جریان بالا در مدارهای مختلف استفاده شود.
فرم اصلی زوج ترانزیستورهای دارلینگتون
در حالی که دارلینگتون ها می توانند به عنوان یک بلوک مداری یا قطعه ی مجزا به تنهایی استفاده شود، اما تفاوت هایی بین آن ها و ترانزیستورهای اصلی وجود دارد. به عنوان مثال اختلاف ولتاژ بیشتری بین بیس و امیتر کلی قطعه وجود دارد، که منظور بیس ترانزیستور ورودی و امیتر ترانزیستور خروجی است. این مسئله هنگامی که پایه ی بیس با یک بایاس به فتو-دارلینگتون اضافه شود، برای فتو-دارلینگتون هم صادق است.
VBE = VBE1 + VBE2
این بدین معناست که در قطعات سیلیکونی عادی، ولتاژ کلی بیس-امیتر مورد نیاز برای روشن شدن زوج دارلینگتون ولت یعنی دو برابر ولت می باشد.
نکته ی قابل توجه دیگر این است که ولتاژ اشباع تنظیمات دارلینگتون حدود 0.7 ولت است، و این مسئله می تواند هنگامی که از ترانزیستور در کاربردهای سوئیچینگ استفاده می شود اثر گذار باشد. این ولتاژ در مقایسه با ترانزیستورهای تکی بالاتر است. به عنوان مثال یک ترانزیستور سوئیچینگ ولتاژ اشباعی در حدود 0.2 ولت دارد.
لازم است بدانیم که زوج دارلینگتون به اندازه ی یک ترانزیستور مجزا سریع نیست. این مسئله به این علت است که ترانزیستور اول نمی تواند به طور ناگهانی جریان بیس ترانزیستور دوم را قطع کند و باعث می شود در کل قطعه یا تنظیمات مداری سرعت کاهش جریان و خاموش شدن، کاهش یابد. با توجه به این مشکل، در ترانزیستور دوم اغلب یک مقاومت بین بیس و امیتر قرار می گیرد. همچنین این مقاومت از روشن شدن ترانزیستور دوم توسط جریان های نشتی ترانزیستور اول ممانعت می کند. این جریان نشتی برای ترانزیستورهای سیگنال کوچک در حد نانو آمپر و برای ترانزیستورهای قدرت در حد چند صد میکرو آمپر است. میزان مقاومت بیس-امیتر به نحوی انتخاب می شود که نسبت زیادی از جریان در نظر گرفته شده برای عبور از بیس ترانزیستور دوم را از خود عبور نمی دهد. مقادیر معمول برای این مقاومت در ترانزیستور دارلینگتون قدرت حدود چند صد اهم و برای نوع سیگنال کوچک حدود چند کیلو اهم است.
مدار دارلینگتون با مقاومت بیس
مبانی ترانزیستور فتو-دارلینگتون
در تنظیمات ترانزیستور فتو-دارلینگتون، ترانزیستور اول به عنوان یک آشکار ساز نوری عمل می کند، و امیتر آن به بیس ترانزیستور دوم متصل شده است. این مسئله موجب افزایش بسیار زیاد بهره ی جریان می شود ولی سرعت را نسبت به فتو-ترانزیستورهای عادی بسیار کمتر می کند، به طوری که حداکثر فرکانس آن ها حدود 20 کیلو هرتز می باشد.
نماد مداری فتو-دارلینگتون ترکیبی از نماد مداری فتو-ترانزیستور استاندارد و نماد مداری ترانزیستور دارلینگتون است.
نماد مداری فتو-ترانزیستور
همان طور که می توان دید مانند آن چه که در فتو-ترانزیستورها است، نماد مداری فتو دارلینگتون نیز پایه ی بیس ندارد یا به صورت مدار باز رها شده است.
اپتوکوپلر/ایزولاتور نوری
اپتو کوپلرها یا همان ایزولاتورهای نوری قطعاتی هستند که از یک مسیر کوتاه نوری برای تزویج سیگنال های الکتریکی از یک ناحیه به ناحیه ی دیگر استفاده می کنند.به طور معمول اپتو کوپلرها درون یک پکیج کوچک قرار می گیرند که اندازه ی آن در حد یک مدار مجتمع کوچک است، گر چه اندازه های آن ها برحسب کاربرد و ویژگی هایشان متفاوت است.
اپتوکوپلرها جهت کاربردهای مختلف از تامین ایزولاسیون بین دو مدار تا کوپلینگ اطلاعات مدارها استفاده می شود. یکی از موارد استفاده از تکنولوژی اپتو کوپلر استفاده از آن ها در انکودرهای نوری است که اپتو کوپلر با استفاده از تشخیص لبه ی مرئی تغییرات روی چرخ انکودر می تواند موقعیت را تشخیص دهد.
مبانی اپتو کوپلر/ایزولاتور نوری
اپتو کوپلر قطعه ای است که شامل دو بخش می باشد :
– پخش کننده ی نوری : پخش کننده ی نوری در قسمت ورودی قرار گرفته و سیگنال های ورودی را دریافت کرده و به سیگنال نوری تبدیل می کند. به طور معمول پخش کننده ی نوری یک دیود نورانی (LED) است.
– آشکار ساز نوری : آشکار ساز نوری در اپتوکوپلر نور ارسال شده از پخش کننده را تشخیص داده و آن را به سیگنال الکتریکی تبدیل می کند. آشکار دساز نوری می تواند هر یک از انواع مختلف فتو-دیود، فتو-ترانزیستور یا فتو-دارلینگتون باشد.
پخش کننده و آشکار ساز نوری به صورتی طراحی می شوند که با یکدیگر هماهنگ باشند، به طوری که با داشتن طول موج های یکسان حداکثر میزان هماهنگی را می توان به دست آورد.
امکان دارد که اپتو کوپلرها شامل بخش های مداری دیگری نیز باشند، به طور مثال می تواند شامل یک مقاومت سری برای LED یا حتی قابلیت راه اندازی برای دیود باشد. همچنین اپتو کوپلر می تواند شامل یک تقویت کننده ی نوری باشد.
گرچه لپتو کوپلر معمولا به صورت یک پکیج کلی در نظر گرفته می شود، ولی این امکان وجود دارد که با استفاده از قطعات جداگانه نتیجه ی یکسانی به دست آورد. البته این مسئله مستلزم در نظر گرفتن تنظیمات مکانیکی است که موجب می شود استفاده از اپتوکوپلر با قطعات جداگانه دارای راحتی کمتری باشد. اما در کاربردهای ایزولاسیون این امکان نیاز به قطعات مجزا در بعضی از کاربردها وجود دارد.
نام گذاری اپتوکوپلر / ایزولاتور نوری
عبارت های اپتوکوپلر (opto-coupler) و ایزولاتور نوری (opto-isolator) معمولا در متون تخصصی الکترونیکی ، هنگام مراجعه به قطعاتی که دارای عملکرد یکسانی هستند، به جای یکدیگر استفاده می شوند.
ولی باید بدانیم که تفاوت هایی بین این دو عبارت وجود دارد. وجه تمایز بین اپتوکوپلر و ایزولاتور نوری در اختلاف پتانسیل موجود بین ورودی و خروجی آن ها است.
– اپتوکوپلر : اپتو کوپلر عموما جهت ارسال اطلاعات دیجیتال و آنالوگ بین مدارها استفاده می شود در حالی که ایزولاسیون الکتریکی در پتانسیل های تا 5000 ولت تامین می شود.
– ایزولاتور نوری : ایزولاتور نوری معمولا در سیستم های قدرت استفاده می شود و برای ارسال اطلاعات آنالوگ و دیجیتال بین مدارهایی که اختلاف پتانسیل بالای 5000 ولت دارند در نظر گرفته می شود.
این یک اشاره ی کلی به تفاوت های موجود بین اپتو کوپلر و ایزولاتور نوری است. در هر حال هنوز هم این دو عبارت به وفور به جای یکدیگر استفاده می شوند.
نماد مداری اپتوکوپلر
نماد مداری مورد استفاده در دیاگرام های مداری برای اپتوکوپلر نشان دهنده ی عملکرد و اجزای داخلی قطعه ی کلی است. در این نماد مداری LED که معمولا به عنوان پخش کننده ی نوری استفاده می شود، نشان داده شده است. همچنین دریافت کننده را هم که اغلب فتو-ترانزیستور یا فتو-دارلینگتون می باشد نشان می دهد، اگر چه قطعات دیگری مانند دیاک های حساس به نور هم می تواند مورد استفاده قرار گیرد. در هر حال نوع قطعه ی مرتبط مورد استفاده در نماد مداری نشان داده می شود.
نماد مداری اپتوکوپلر فتو-ترانزیستوری
اپتوکوپلرها می توانند با استفاده از سایر اجزا نیز ساخته شوند. یکی از انواعی که در کاربردهای قدرت AC مورد استفاده قرار می گیرد اپتوکوپلری است که بر مبنای دیاک ساخته می شود. این مدل برای تریگر نمودن تریاک به منظور کاربردهایی نظیر کنترل زاویه ی هدایت و یا اهداف سوئیچینگ، استفاده می شود.
نماد مداری اپتوکوپلر فتو-دیاکی
پکیج های اپتوکوپلر و ایزولاتور نوری
انواع مختلفی از پکیج های مورد استفاده برای اپتوکوپلر و ایزولاتور نوری وجود دارد.
برای اپتوکوپلرهایی که در ولتاژهای پائین استفاده می شود، پکیج های مختلفی موجود است. اغلب اپتوکوپلرها در پکیج های کوچک مشابهی هستند، ولی همیشه به صورت پکیج های IC آشنای DIL برای قطعات نصبی مرسوم نیستند. همچنین انواع SMD در پکیج های مدار مجتمع طرح کوچک (SOIC) نیز موجود هستند. در این پکیج ها اپتوکوپلر ها به صورت بسیار فشرده موجود هستند. اما در همه ی پکیج ها ایزولاسیون مورد نیاز تامین شده است.
برای ایزولاتورهای نوری که در ولتاژهای بالاتر استفاده می شوند نیز پکیج های مختلفی موجود است. ایزولاتورهای نوری از نظر شکل ظاهری پکیج دارای تنوع هستند و به صورت مستطیل، استوانه و یا تنظیمات تخصصی موجود هستند. تنوع موجود دراین پکیج ها جهت دستیابی به سطوح بالاتری از ایزولاسیون ولتاژی است که در پکیج های SMD و DIL نمی توان به دست آورد.
ویژگی های اپتوکوپلر و ایزولاتور نوری
هنگام استفاده از اپتوکوپلر و ایزولاتور نوری چندین پارامتر و ویژگی وجود دارد که باید در نظر گرفته شوند :
– نسبت انتقال جریان (CTR) : نسبت انتقال جریان در اپتوکوپلر یکی از پارامترهای کلیدی است که به صورت نسبت جریان خروجی به جریان ورودی تعریف می شود. CTR بر حسب نوع قطعه ی استفاده شده در خروجی اپتوکوپلر تغییر می کند، این پارامتر در مدل هایی که از فتو-دارلینگتون در خروجی استفاده می کنند بیشتر از انواعی است که از فتو-ترانزیستور عادی استفاده می کنند. مقادیر می تواند بین 10 درصد و 2000 تا 5000 درصد باشد. باید توجه کرد که CTR با تغییر در جریان ورودی تغییر می کند. همچنین در قطعات مختلف نیز این پارامتر متغیر است، در اپتو کوپلرهای دست ساز به ازای جریان ورودی 10 میلی آمپر یک پیک وجود دارد ولی این پارامتر با افزایش یا کاهش در میزان جریان گفته شده، افت خواهد کرد.
– ماکزیمم ولتاژ خروجی قطعه : در اپتوکوپلرهایی که از ترانزیستور استفاده می کنند حداکثر این مقدار برابر با (Vce(maxترانزیستور است. برای اپتوکوپلرهایی که از قطعات دیگری در خروجی استفاده می کنند، یک مقدار معادل باید استفاده شود. به یاد داشته باشید که یک حاشیه ی مناسب باید حفظ شود، به این معنی که هرگز توصیه نمی شود که قطعه در حداکثر توان خود عمل کند.
– جریان ورودی : منظور از این پارامتر جریان مورد نیاز برای قعه ی ورودی یا همان LED است. این مقدار برای محاسبه ی مقاومت سری مورد استفاده جهت محدود کردن جریان، به کار می رود.
– پهنای باند : به منظور فهمیدن حداکثر نرخ اطلاعاتی که می تواند با یک اپتوکوپلر تعقیب شود، لازم مقدار پهنای باند را بدانیم. در بسیاری از اپتوکوپلرهایی که از فتو-ترانزیستور استفاده می کنند، پهنای باند حدود 250 کیلو هرتز است؛ و برای انواعی که از فتو-دارلینگتون استفاده می کنند این مقدار ده برابر می شود. اپتوکوپلرهای سریع تر نیز موجود هستند. به طور معمول CTR پائین تر باعث ایجاد زمان افت و خیز سریع تر می شود.