ترانزیستور IRF1010E

شناسه : TRAMiR-510 دسته بندی ها ,
  • MOSFET کانال N (N-Channel)
  • ولتاژ: 60 ولت
  • جریان: 84 آمپر
  • مقاومت: حدود 0.011 اهم
  • توان: 200 وات
  • پکیج: TO-220

89,000 تومان - 125,350 تومان

موجود در انبار (فعال برای پیش سفارش)

تخفیف‌های پلکانی

برای استفاده از تخفیف روی ستون مورد نظر کلیک کنید

تعداد قیمت هر عدد قیمت کل
5+ 99,000 تومان 495,000 تومان
10+ 89,000 تومان 890,000 تومان

ویژگی های محصول

توضیحات تکمیلی

وزن 1 گرم
نوع قطعه

ترانزیستور

نوع ترانزیستور

MOSFET

پکیج

TO-220

تعداد پایه

3

نوع نصب

DIP

پلاریته

N-channel

ولتاژ

60 ولت

جریان

84 آمپر

توضیحات محصول

ترانزیستور IRF1010

 

یک MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) قدرتی نوع N-channel است که برای کاربردهای ولتاژ و توان بالا طراحی شده است. این ترانزیستور به دلیل ویژگی‌های برجسته‌ای که دارد، در مدارهای مختلف قدرت، از جمله منابع تغذیه سوئیچینگ، اینورترها، و کنترل موتورها، بسیار محبوب است.

مشخصات کلیدی:

  1. نوع: N-channel MOSFET
  2. ولتاژ سورس-درین (Vds): 60 ولت
  3. جریان درین (Id): 75 آمپر
  4. مقاومت روشن (Rds(on)): حدود 0.012 اهم
  5. توان پراکنده (Pd): تا 200 وات

ویژگی‌ها:

  • ولتاژ پایین تا متوسط: IRF1010 می‌تواند ولتاژهای تا 60 ولت را تحمل کند، که برای بسیاری از کاربردهای ولتاژ پایین و متوسط مناسب است.
  • جریان بالا: این ترانزیستور می‌تواند جریان‌های بالایی تا 75 آمپر را مدیریت کند.
  • سرعت سوئیچینگ بالا: سرعت سوئیچینگ بالایی دارد که آن را برای کاربردهای سوئیچینگ مناسب می‌سازد.
  • مقاومت روشن پایین: Rds(on) بسیار پایین منجر به کاهش تلفات توان و افزایش کارایی می‌شود.
  • پایداری حرارتی خوب: پایداری حرارتی بالا که عمر و عملکرد ترانزیستور را بهبود می‌بخشد.

کاربردها:

  1. منابع تغذیه سوئیچینگ: برای تبدیل ولتاژ و کنترل توان در منابع تغذیه سوئیچینگ استفاده می‌شود.
  2. اینورترها: در اینورترهای توان بالا برای تبدیل جریان مستقیم به جریان متناوب به کار می‌رود.
  3. کنترل موتورها: در سیستم‌های کنترل موتورهای الکتریکی و مدارهای H-Bridge استفاده می‌شود.
  4. مدارات تقویت‌کننده قدرت: برای تقویت سیگنال‌های توان بالا در تقویت‌کننده‌های قدرت و سیستم‌های صوتی به کار می‌رود.
  5. مدارات حفاظت و سوئیچینگ قدرت: در مدارهای حفاظت از تجهیزات الکترونیکی و سوئیچ کردن بارهای قدرت استفاده می‌شود.

ساختار داخلی و پکیج:

  • سه پایه: شامل درین (D)، سورس (S) و گیت (G).
  • پکیج استاندارد: معمولاً در پکیج TO-220 یا مشابه عرضه می‌شود که برای دفع حرارت و نصب آسان مناسب است.

نحوه استفاده:

  1. محدود کردن جریان گیت: برای جلوگیری از آسیب به ترانزیستور به دلیل جریان بیش از حد، از مقاومت گیت مناسب استفاده کنید.
  2. مدار درایور گیت: استفاده از یک درایور گیت مناسب برای فراهم کردن ولتاژ و جریان کافی جهت سوئیچینگ موثر.
  3. محدود کردن ولتاژ و جریان: اطمینان حاصل کنید که ولتاژ و جریان مدار از مقادیر مجاز ترانزیستور تجاوز نکند.
  4. استفاده از هیت سینک: برای دفع حرارت اضافی و جلوگیری از افزایش دما، از هیت سینک مناسب استفاده کنید.

مثال مدار ساده:

در یک منبع تغذیه سوئیچینگ، گیت ترانزیستور IRF1010 به یک مدار درایور متصل می‌شود که سیگنال سوئیچینگ را فراهم می‌کند. درین به منبع ولتاژ DC و سورس به بار یا زمین متصل می‌شود. سیگنال درایور باعث روشن و خاموش شدن ترانزیستور می‌شود و توان را به بار منتقل می‌کند.

خلاصه:

ترانزیستور IRF1010 یک MOSFET N-channel با ویژگی‌های ولتاژ پایین تا متوسط و جریان بالا است که برای کاربردهای سوئیچینگ و کنترل در مدارهای الکترونیکی توان بالا مناسب است. پکیج TO-220 آن برای نصب در مدارهای چاپی و دفع حرارت مناسب بوده و باعث افزایش کارایی و پایداری دستگاه‌های الکترونیکی می‌شود.

دیدگاهها

هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.

اولین نفری باشید که دیدگاهی را ارسال می کنید برای “ترانزیستور IRF1010E”