ترانزیستور FQD11P06TM-SMD

P-Channel 60V 9.4A (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc) P-Channel 60V 9.4A (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount D-Pa

15,000 تومان

موجود در انبار

x

ویژگی های محصول

وزن 0.002000 گرم
نوع

(MOSFET)

جریان

46 آمپر

ولتاژ

30 ولت

پلاریته

N-channel

توضیحات محصول

ترانزیستور FQD11P06TM

 

یک MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) نوع P-channel است که به صورت بسته‌بندی SMD (Surface Mount Device) عرضه می‌شود. این ترانزیستور برای کاربردهای مختلف توان پایین و متوسط مانند سوئیچینگ، کنترل، و مدارهای تقویت کننده مناسب است.

مشخصات کلیدی:

  1. نوع: P-channel MOSFET
  2. ولتاژ سورس-درین (Vds): -60 ولت
  3. جریان درین (Id): -10.5 آمپر
  4. مقاومت روشن (Rds(on)): 0.12 اهم (حداکثر)
  5. توان پراکنده (Pd): 2.5 وات (در دمای 25 درجه سانتی‌گراد)

ویژگی‌ها:

  • ولتاژ متوسط: FQD11P06TM می‌تواند ولتاژهای تا -60 ولت را تحمل کند.
  • جریان متوسط: مناسب برای کاربردهای با جریان تا -10.5 آمپر.
  • سرعت سوئیچینگ بالا: سرعت سوئیچینگ بالایی دارد که آن را برای کاربردهای سوئیچینگ مناسب می‌سازد.
  • مقاومت روشن پایین: Rds(on) نسبتاً پایین که منجر به کاهش تلفات توان و افزایش کارایی می‌شود.
  • پکیج SMD: بسته‌بندی SMD که برای استفاده در مدارهای چاپی مناسب است و کمک به کاهش اندازه و وزن دستگاه‌های الکترونیکی می‌کند.

کاربردها:

  1. مدارهای سوئیچینگ: در مدارهای سوئیچینگ برای کنترل بارهای مختلف استفاده می‌شود.
  2. مدارهای کنترل: در سیستم‌های کنترل و مدیریت توان به کار می‌رود.
  3. تقویت کننده‌ها: در مدارهای تقویت کننده و درایورها به عنوان سوئیچ یا تقویت کننده استفاده می‌شود.
  4. مدارات حفاظت: در مدارهای حفاظت از تجهیزات الکترونیکی به کار می‌رود.
  5. مدارهای منطقی: در مدارهای منطقی و دیجیتال به عنوان سوئیچ استفاده می‌شود.

ساختار داخلی و پکیج:

  • سه پایه: شامل درین (D)، سورس (S) و گیت (G).
  • پکیج SMD: معمولاً در پکیج DPAK یا TO-252 عرضه می‌شود که برای نصب سطحی در مدارهای چاپی مناسب است.

نحوه استفاده:

  1. محدود کردن جریان گیت: برای جلوگیری از آسیب به ترانزیستور به دلیل جریان بیش از حد، از مقاومت گیت مناسب استفاده کنید.
  2. مدار درایور گیت: استفاده از یک درایور گیت مناسب برای فراهم کردن ولتاژ و جریان کافی جهت سوئیچینگ موثر.
  3. محدود کردن ولتاژ و جریان: اطمینان حاصل کنید که ولتاژ و جریان مدار از مقادیر مجاز ترانزیستور تجاوز نکند.
  4. خنک‌سازی مناسب: با توجه به توان پراکنده، از خنک‌سازی مناسب استفاده کنید تا دمای ترانزیستور در محدوده مجاز باقی بماند.

مثال مدار ساده:

در یک مدار سوئیچینگ ساده، گیت ترانزیستور FQD11P06TM به یک مدار درایور متصل می‌شود که سیگنال سوئیچینگ را فراهم می‌کند. سورس به منبع ولتاژ منفی DC و درین به بار یا زمین متصل می‌شود. سیگنال درایور باعث روشن و خاموش شدن ترانزیستور می‌شود و توان را به بار منتقل می‌کند.

خلاصه:

ترانزیستور FQD11P06TM یک MOSFET P-channel با ویژگی‌های ولتاژ و جریان متوسط است که برای کاربردهای سوئیچینگ و کنترل در مدارهای الکترونیکی توان پایین و متوسط مناسب است. پکیج SMD آن برای استفاده در مدارهای چاپی و کمک به کاهش اندازه و وزن دستگاه‌های الکترونیکی بسیار مناسب است.

محصولات مرتبط

دیدگاهها

هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.

اولین نفری باشید که دیدگاهی را ارسال می کنید برای “ترانزیستور FQD11P06TM-SMD”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *