ترانزیستور IRF1010

25,000 تومان


در انبار موجود نمی باشد

در انبار موجود نمی باشد

ویژگی های محصول

وزن 0.002000 گرم
نوع

(MOSFET)

جریان

20 آمپر

ولتاژ

500 ولت

پلاریته

N-channel

توضیحات محصول

ترانزیستور IRF1010

 

یک MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) قدرتی نوع N-channel است که برای کاربردهای ولتاژ و توان بالا طراحی شده است. این ترانزیستور به دلیل ویژگی‌های برجسته‌ای که دارد، در مدارهای مختلف قدرت، از جمله منابع تغذیه سوئیچینگ، اینورترها، و کنترل موتورها، بسیار محبوب است.

مشخصات کلیدی:

  1. نوع: N-channel MOSFET
  2. ولتاژ سورس-درین (Vds): 60 ولت
  3. جریان درین (Id): 75 آمپر
  4. مقاومت روشن (Rds(on)): حدود 0.012 اهم
  5. توان پراکنده (Pd): تا 200 وات

ویژگی‌ها:

  • ولتاژ پایین تا متوسط: IRF1010 می‌تواند ولتاژهای تا 60 ولت را تحمل کند، که برای بسیاری از کاربردهای ولتاژ پایین و متوسط مناسب است.
  • جریان بالا: این ترانزیستور می‌تواند جریان‌های بالایی تا 75 آمپر را مدیریت کند.
  • سرعت سوئیچینگ بالا: سرعت سوئیچینگ بالایی دارد که آن را برای کاربردهای سوئیچینگ مناسب می‌سازد.
  • مقاومت روشن پایین: Rds(on) بسیار پایین منجر به کاهش تلفات توان و افزایش کارایی می‌شود.
  • پایداری حرارتی خوب: پایداری حرارتی بالا که عمر و عملکرد ترانزیستور را بهبود می‌بخشد.

کاربردها:

  1. منابع تغذیه سوئیچینگ: برای تبدیل ولتاژ و کنترل توان در منابع تغذیه سوئیچینگ استفاده می‌شود.
  2. اینورترها: در اینورترهای توان بالا برای تبدیل جریان مستقیم به جریان متناوب به کار می‌رود.
  3. کنترل موتورها: در سیستم‌های کنترل موتورهای الکتریکی و مدارهای H-Bridge استفاده می‌شود.
  4. مدارات تقویت‌کننده قدرت: برای تقویت سیگنال‌های توان بالا در تقویت‌کننده‌های قدرت و سیستم‌های صوتی به کار می‌رود.
  5. مدارات حفاظت و سوئیچینگ قدرت: در مدارهای حفاظت از تجهیزات الکترونیکی و سوئیچ کردن بارهای قدرت استفاده می‌شود.

ساختار داخلی و پکیج:

  • سه پایه: شامل درین (D)، سورس (S) و گیت (G).
  • پکیج استاندارد: معمولاً در پکیج TO-220 یا مشابه عرضه می‌شود که برای دفع حرارت و نصب آسان مناسب است.

نحوه استفاده:

  1. محدود کردن جریان گیت: برای جلوگیری از آسیب به ترانزیستور به دلیل جریان بیش از حد، از مقاومت گیت مناسب استفاده کنید.
  2. مدار درایور گیت: استفاده از یک درایور گیت مناسب برای فراهم کردن ولتاژ و جریان کافی جهت سوئیچینگ موثر.
  3. محدود کردن ولتاژ و جریان: اطمینان حاصل کنید که ولتاژ و جریان مدار از مقادیر مجاز ترانزیستور تجاوز نکند.
  4. استفاده از هیت سینک: برای دفع حرارت اضافی و جلوگیری از افزایش دما، از هیت سینک مناسب استفاده کنید.

مثال مدار ساده:

در یک منبع تغذیه سوئیچینگ، گیت ترانزیستور IRF1010 به یک مدار درایور متصل می‌شود که سیگنال سوئیچینگ را فراهم می‌کند. درین به منبع ولتاژ DC و سورس به بار یا زمین متصل می‌شود. سیگنال درایور باعث روشن و خاموش شدن ترانزیستور می‌شود و توان را به بار منتقل می‌کند.

خلاصه:

ترانزیستور IRF1010 یک MOSFET N-channel با ویژگی‌های ولتاژ پایین تا متوسط و جریان بالا است که برای کاربردهای سوئیچینگ و کنترل در مدارهای الکترونیکی توان بالا مناسب است. پکیج TO-220 آن برای نصب در مدارهای چاپی و دفع حرارت مناسب بوده و باعث افزایش کارایی و پایداری دستگاه‌های الکترونیکی می‌شود.

محصولات مرتبط

دیدگاهها

هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.

اولین نفری باشید که دیدگاهی را ارسال می کنید برای “ترانزیستور IRF1010”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *