ترانزیستور IRFBC30

N-CHANNEL 600V,3.6A

35,000 تومان

موجود در انبار (فعال برای پیش سفارش)

x

ویژگی های محصول

وزن 0.002000 گرم
نوع

(MOSFET)

جریان

6.2 آمپر

ولتاژ

600 ولت

پلاریته

N-channel

توضیحات محصول

ترانزیستور IRFBC30

 

یک MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) نوع N-channel است که برای کاربردهای مختلف در الکترونیک و توان طراحی شده است. این ترانزیستور به دلیل ویژگی‌های ولتاژ و جریان مناسب، در مدارهای سوئیچینگ، تقویت‌کننده‌ها، و کنترل توان استفاده می‌شود.

مشخصات کلیدی:

  1. نوع: N-channel MOSFET
  2. ولتاژ سورس-درین (Vds): 600 ولت
  3. جریان درین (Id): 3 آمپر
  4. مقاومت روشن (Rds(on)): 4 اهم
  5. توان پراکنده (Pd): 45 وات

ویژگی‌ها:

  • ولتاژ بالا: IRFBC30 می‌تواند ولتاژهای تا 600 ولت را تحمل کند.
  • جریان متوسط: مناسب برای کاربردهای با جریان متوسط تا 3 آمپر.
  • سرعت سوئیچینگ بالا: سرعت سوئیچینگ بالایی دارد که آن را برای کاربردهای سوئیچینگ مناسب می‌سازد.
  • مقاومت روشن پایین: Rds(on) مناسب به کاهش تلفات توان و افزایش کارایی کمک می‌کند.
  • پایداری حرارتی خوب: پایداری حرارتی بالا که عمر و عملکرد ترانزیستور را بهبود می‌بخشد.

کاربردها:

  1. منابع تغذیه سوئیچینگ: برای تبدیل ولتاژ و کنترل توان در منابع تغذیه سوئیچینگ استفاده می‌شود.
  2. اینورترها: در اینورترهای توان بالا برای تبدیل جریان مستقیم به جریان متناوب به کار می‌رود.
  3. کنترل موتورها: در سیستم‌های کنترل موتورهای الکتریکی و مدارهای H-Bridge استفاده می‌شود.
  4. مدارات تقویت‌کننده قدرت: برای تقویت سیگنال‌های توان بالا در تقویت‌کننده‌های قدرت و سیستم‌های صوتی به کار می‌رود.
  5. مدارات حفاظت و سوئیچینگ قدرت: در مدارهای حفاظت از تجهیزات الکترونیکی و سوئیچ کردن بارهای قدرت استفاده می‌شود.

ساختار داخلی و پکیج:

  • سه پایه: شامل درین (D)، سورس (S) و گیت (G).
  • پکیج استاندارد: معمولاً در پکیج TO-220 عرضه می‌شود که برای دفع حرارت و نصب آسان مناسب است.

نحوه استفاده:

  1. محدود کردن جریان گیت: برای جلوگیری از آسیب به ترانزیستور به دلیل جریان بیش از حد، از مقاومت گیت مناسب استفاده کنید.
  2. مدار درایور گیت: استفاده از یک درایور گیت مناسب برای فراهم کردن ولتاژ و جریان کافی جهت سوئیچینگ موثر.
  3. محدود کردن ولتاژ و جریان: اطمینان حاصل کنید که ولتاژ و جریان مدار از مقادیر مجاز ترانزیستور تجاوز نکند.
  4. استفاده از هیت سینک: برای دفع حرارت اضافی و جلوگیری از افزایش دما، از هیت سینک مناسب استفاده کنید.

مثال مدار ساده:

در یک منبع تغذیه سوئیچینگ، گیت ترانزیستور IRFBC30 به یک مدار درایور متصل می‌شود که سیگنال سوئیچینگ را فراهم می‌کند. درین به منبع ولتاژ DC و سورس به بار یا زمین متصل می‌شود. سیگنال درایور باعث روشن و خاموش شدن ترانزیستور می‌شود و توان را به بار منتقل می‌کند.

خلاصه:

ترانزیستور IRFBC30 یک MOSFET N-channel با ویژگی‌های ولتاژ و جریان متوسط است که برای کاربردهای سوئیچینگ و کنترل در مدارهای الکترونیکی و توان متوسط مناسب است. پکیج TO-220 آن برای نصب در مدارهای چاپی و دفع حرارت مناسب بوده و باعث افزایش کارایی و پایداری دستگاه‌های الکترونیکی می‌شود.

محصولات مرتبط

دیدگاهها

هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.

اولین نفری باشید که دیدگاهی را ارسال می کنید برای “ترانزیستور IRFBC30”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *